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J-GLOBAL ID：200903079334466958

半導体素子用プラズマ装置

Inventor： 石谷 浩
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 大胡 典夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994079094
Publication number (International publication number)：1995288248
Application date： Apr. 19, 1994
Publication date： Oct. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 反応室内の反応生成物を確実に除去する新規な半導体素子用プラズマエッチング装置を提供する点。【構成】 マイクロ波放電により発生させたラジカルイオンを反応室1内に導入かつ移動させることにより、反応生成物とラジカルイオンによる化学反応を起して生ずるエッチングで反応室1内を清浄にする。

Claim (excerpt)：

互いに向合った電極を配置してプラズマを発生する反応室と,この反応室内に導入する気体と,前記反応室に接続され減圧状態にする機構と,マイクロ波放電により発生させた反応性ラジカルを前記プラズマによる処理後の反応室に導入する機構とを具備することを特徴とする半導体素子用プラズマ装置

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205

FI (2)：

H01L 21/302 N ,  H01L 21/302 B