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J-GLOBAL ID：200903079339436399
アパーチャの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
市之瀬 宮夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993312596
Publication number (International publication number)：1995140643
Application date： Nov. 18, 1993
Publication date： Jun. 02, 1995
Summary：
【要約】【目的】 作製が容易で精度の高い荷電ビーム露光装置用のアパーチャの製造方法を提供する。【構成】 荷電ビームを用いた露光方法に用いられるアパーチャ9の製造方法であって、導電性のある例えばSi単結晶で作製された支持基板1上に支持基板と熱膨張率がほぼ等しく、導電性が高く、支持基板のエッチング液に化学的に浸されない材料、例えばPtのような金属膜6を形成し、この金属膜6をイオンビーム13で部分的に除去することにより金属膜パターン7を形成し、次いで支持基板1の裏面側からのバックエッチングを行う。
Claim (excerpt)：
荷電ビームを用いた露光方法に用いられ、開口部を有する第1の膜領域と、該第1の膜領域を支持し且つ該第1の膜領域よりも厚い第2の膜領域とを有し、かつ該第1の膜領域を形成する主たる材料と該第2の膜領域を形成する主たる材料が異種材料からなるアパーチャの製造方法において、(イ)前記第2の膜領域上に前記第1の膜領域を形成し、(ロ)前記第1の膜領域上を部分的に除去することによりパターンを形成し、(ハ)その後前記第2の膜領域をエッチングしてなることを特徴とするアパーチャの製造方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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