Pat
J-GLOBAL ID：200903079340595700
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
Inventor：
,
,
,
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993062984
Publication number (International publication number)：1994196448
Application date： Feb. 28, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：
【要約】【目的】 プラズマの分布を制御して処理室内壁に向うように構成でき、プラズマクリーニングやプラズマCVD、RIE等の処理を行う場合も効果的かつ均一に処理を実現できるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。【構成】 処理室1内にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うプラズマ処理において、処理室の内壁面に向う磁界31を印加することにより、プラズマを処理室内壁面に向う方向あるいは被処理面に平行な方向で分布させ、あるいは更に回転32磁界31を印加することによりプラズマを回転させて均一かつ効率の良い処理を達成する。
Claim (excerpt)：
処理室内にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、処理室の内壁面に向う磁界を印加することにより、プラズマを処理室内壁面に向う方向で分布させる構成としたことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5)：
H01L 21/302
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
Cited by examiner (8)
Show all
Return to Previous Page
