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J-GLOBAL ID：200903079344360767
薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220594
Publication number (International publication number)：1995099317
Application date： Aug. 12, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：
【要約】【目的】 逆スタガー型の薄膜トランジスタにおいて、作製工程を簡略化し、得られる薄膜トランジスタの特性を向上させ、凹凸を減らすことを目的とする。【構成】 ゲイト絶縁膜上の半導体領域に選択的にイオン注入やイオンドープ、またはプラズマ化したイオンのドープによって不純物ドープをおこない、よって、ソース、ドレイン、チャネル形成領域を形成する工程、およびそれを可視もしくは近赤外光を短時間照射することによってアニールする(ラピッド・サーマル・アニール、RTA)工程を有する作製方法。この結果、実質的に同一面内にソース、ドレイン、チャネル形成領域が形成される。
Claim (excerpt)：
絶縁基板上に形成された逆スタガー型のMIS型半導体装置であって、そのチャネル形成領域は実質的に真性なアモルファス半導体からなり、そのソース/ドレイン領域はN型もしくはP型の前記アモルファス半導体より秩序性の高い半導体からなり、前記結晶性半導体は可視光線もしくは近赤外線により加熱されたことを特徴とする薄膜状絶縁ゲイト型半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/786
, H01L 21/26
, H01L 21/336
, H01L 29/40
H01L 29/78 311 P
, H01L 21/26 L
Cited by examiner (9)
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