レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999302909
Publication number (International publication number)：2001125270
Application date： Oct. 25, 1999
Publication date： May. 11, 2001
Summary：

【要約】 (修正有)【解決手段】下記一般式で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物をベース樹脂として含有するレジスト材料。(式中、R1は水素原子、メチル基又はCO2R2、R12は多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R13は酸不安定基を示す。Zは5員環又は6員環を構築する2価の原子団を示し、kは0又は1、xは0を超え1以下、a〜dは0以上1未満であり、x+a+b+c+d=1を満足する数。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、解像性、基板密着性、エッチング耐性に優れているため、電子線や遠紫外線による微細加工に有用である。特にArFエキシマレーザー、KrFエキシマレーザーの露光波長での吸収が小さいため、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成することができるという特徴を有する。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1-1)又は(1-2)で示される重量平均分子量1,000〜500,000の高分子化合物をベース樹脂として含有することを特徴とするレジスト材料。【化1】(式中、R1は水素原子、メチル基又はCO2R2を示す。R2は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R3は水素原子、メチル基又はCH2CO2R2を示す。R4〜R7の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R4〜R7は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR4〜R7の少なくとも1個は炭素数1〜15のカルボキシ基又は水酸基を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R8〜R11の少なくとも1個は炭素数2〜15の-CO2-部分構造を含有する1価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に水素原子又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基を示す。R8〜R11は互いに環を形成していてもよく、その場合にはR8〜R11の少なくとも1個は炭素数1〜15の-CO2-部分構造を含有する2価の炭化水素基を示し、残りはそれぞれ独立に単結合又は炭素数1〜15の直鎖状、分岐状又は環状のアルキレン基を示す。R12は炭素数7〜15の多環式炭化水素基又は多環式炭化水素基を含有するアルキル基を示す。R13は酸不安定基を示す。Zは5員環又は6員環を構築する2価の原子団を示し、構築された環内にはカルボン酸エステル、炭酸エステル又は酸無水物を含有する。kは0又は1である。xは0を超え1以下、a〜dは0以上1未満であり、x+a+b+c+d=1を満足する数である。)

IPC (5)：

G03F 7/039 601 , C08F 32/08 , C08G 61/08 , G03F 7/38 511 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 , C08F 32/08 , C08G 61/08 , G03F 7/38 511 , H01L 21/30 502 R

F-Term (55)：

2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC06 , 2H025AC08 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CC03 , 2H025CC20 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 2H096AA25 , 2H096BA20 , 2H096EA03 , 2H096EA05 , 2H096EA06 , 2H096FA01 , 2H096GA08 , 2H096JA03 , 4J032CA34 , 4J032CA46 , 4J032CA68 , 4J032CB04 , 4J032CB05 , 4J032CC03 , 4J032CD02 , 4J032CD03 , 4J032CD05 , 4J032CD09 , 4J032CE03 , 4J100AR09P , 4J100AR11P , 4J100AR11Q , 4J100AR11R , 4J100BA16R , 4J100BA20Q , 4J100BC02Q , 4J100BC03P , 4J100BC03Q , 4J100BC04Q , 4J100BC08Q , 4J100BC12Q , 4J100BC21Q , 4J100BC22Q , 4J100BC23Q , 4J100BC53P , 4J100BC55P , 4J100BC60P , 4J100CA04 , 4J100CA05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ネガ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-065600 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-257003 Applicant：富士写真フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-258835 Applicant：富士写真フイルム株式会社

Show all

Return to Previous Page