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J-GLOBAL ID：200903079350809334

アモルファスシリコン薄膜トランジスタアレイの製造方法

Inventor： 登 正治 ,  吉田 守 ,  小泉 真澄 ,  野本 勉
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992004555
Publication number (International publication number)：1993188396
Application date： Jan. 14, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 コンタクト穴を開ける中間絶縁膜下の一部分に、エッチング終点検出をするアモルファスシリコン膜を設けておくことにより、エッチングの終了を容易に、しかも確実に行うようにする。【構成】 基板上に形成されるアモルファスシリコン薄膜トランジスタアレイの製造方法において、ガラスの絶縁基板11上にゲード電極12、ゲート絶縁膜13、アモルファスシリコン膜15,16を順次形成し、該アモルファスシリコン膜上にそれより幅寸法の短いソース電極17を形成し、その上に中間絶縁膜19を形成し、該中間絶縁膜にコンタクト穴20を形成するに際して、ソース電極17とアモルファスシリコン膜15,16の両方にかかる部位にコンタクト穴20を形成し、アモルファスシリコン膜15,16がエッチングされることをもってコンタクト穴20のエッチング終点検出を行う。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されるアモルファスシリコン薄膜トランジスタアレイの製造方法において、(a)透光性絶縁基板上にゲード電極、ゲート絶縁膜、アモルファスシリコン膜を順次形成し、(b)該アモルファスシリコン膜上に該アモルファスシリコン膜より幅寸法の短いトランジスタの電極を形成し、(c)その上に中間絶縁膜を形成し、(d)該中間絶縁膜にコンタクト穴を形成するに際して、前記トランジスタの電極と前記アモルファスシリコン膜の両方にかかる部位にコンタクト穴を形成し、前記アモルファスシリコン膜がエッチングされることをもってコンタクト穴のエッチング終点検出を行うようにしたことを特徴とするアモルファスシリコン薄膜トランジスタアレイの製造方法。

IPC (6)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/133 550 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784