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J-GLOBAL ID：200903079362586187
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994305414
Publication number (International publication number)：1996148647
Application date： Nov. 15, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 放熱板表面に直接ワイヤボンディングが可能な、ボンディング性が良く、且つ集積度が高い半導体装置を提供する。【構成】 所定の回路パターンを有する導電層53を備えた回路基板5に半田により接合された放熱板41,42と、これらと半田で接合された半導体素子11,12,13と、これらを電気的に接続するボンディングワイヤ3とを備えている。放熱板の半導体素子が固着される主面は、半田付け可能な金属領域と、半田をはじく金属領域43,44とを有し、放熱板のチップが搭載されていない領域が半田をはじくので、マウント半田流れが防止され、バラツキが無くなり半田厚が均一になり、TFTレベルが向上する。
Claim (excerpt)：
所定の回路パターンを有する導電層を備えた回路基板と、前記回路基板に半田により接合された放熱板と、前記放熱板に半田により接合された少なくとも1つの半導体素子と、前記半導体素子間を電気的に接続するボンディングワイヤとを備え、前記放熱板の前記半導体素子が固着される主面は、半田付け可能な金属から構成された前記半導体素子が接合される領域と、半田をはじく金属から構成された前記半導体素子が接合されない領域とを有し、前記ボンディングワイヤの一端が前記半導体素子の1つに接続され、他端が前記放熱板主面の前記半導体素子が接合されない領域のボンディングエリアに接続されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/52
