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J-GLOBAL ID：200903079364072903
投影露光装置のアライメント方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大森 聡
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244482
Publication number (International publication number)：1994097032
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 スループットを大きく低下させることなくオフ・アクシスのアライメント系のベースライン量のドリフト量を許容値以内に抑える。【構成】 ウエハステージ6上に大型基準マーク板17を固定し、大型基準マーク板17上に基準マーク39及び基準マーク38A,38Bを形成する。基準マーク39及び基準マーク38A,38Bをそれぞれウエハアライメント系9及びTTR方式のアライメント系5A,5Bで観察してベースライン量を計測する。ベースライン量の計測の間隔をウエハの枚数又は時間を単位として次第に変化させる。
Claim (excerpt)：
露光すべきパターンとアライメント用の複数のマークとが形成されたマスクを位置決めして固定するマスクステージと、複数の基板マークが形成された感光基板を保持して該感光基板を位置決めする基板ステージと、前記マスクのパターンを前記基板ステージ上の前記感光基板上の各基板マークの近傍の領域に結像投影する投影光学系と、前記マスクを介することなく前記感光基板上の基板マークを検出する第1のマーク検出手段と、前記基板ステージ上に配置された前記マスク用の基準マークと、該基準マークの共役像と前記マスクのマークとの位置ずれ量を前記投影光学系を介して検出する第2のマーク検出手段とを備えた投影露光装置において、前記第1のマーク検出手段の検出中心と前記マスクの所定部分の前記基板ステージ上の共役像との間隔の所定の基準量からの誤差をベースライン誤差量として検出する第1の工程と、前記第1のマーク検出手段により前記感光基板上の各基板マークの座標を検出する第2の工程と、前記感光基板上の各基板マークに対応したショット領域を前記第2の工程で検出された座標と前記所定の基準量と前記ベースライン誤差量とより求められる座標に位置決めして、該位置決め後のショット領域に前記マスクのパターンを露光する第3の工程とを有し、前記第1のマーク検出手段による計測結果に基づいて前記感光基板のアライメントを行う方法において、前記感光基板に続いてそれぞれ前記第2の工程と第3の工程とを実行して複数の感光基板の各ショット領域に順次前記マスクのパターンを露光するに際して、複数枚の感光基板を交換する毎に前記第1の工程を実行して前記ベースライン誤差量を再検出すると共に、前記ベースライン誤差量の再検出を行う前記感光基板の枚数又は時間を単位とした間隔を可変とした事を特徴とする投影露光装置のアライメント方法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G03B 27/32
, G03F 9/00
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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