Pat
J-GLOBAL ID：200903079365467936
二次元電磁界シミュレーション方法、そのプログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
和泉 良彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001054999
Publication number (International publication number)：2002257885
Application date： Feb. 28, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Summary：
【要約】【課題】誘電率が異なる2つの領域が1つの直線を境界として接している場合の二次元TMモード電磁界(スラブ導波路としてはTEモード)を高い精度で計算することを可能とする二次元電磁界シミュレーション方法、そのプログラム、及びそのプログラムを記録した記録媒体を提供する事。【解決手段】1つの平面内に透磁率μ及び誘電率ε1を有する第1の媒質と、透磁率μ及び誘電率ε2を有する第2の媒質とが一つの直線を境界として接している場合に、前記平面内に、y軸が前記境界に平行なx-y座標をもうけ、格子点(i△x,j△y)、((i+1/2)△x,j△y)、((i+1/2)△x,(j+1/2)△y)(ここに、i、jは整数とする)における電磁界成分を選択図に示した計算プログラムによって算出する。
Claim (excerpt)：
1つの平面内に透磁率μ、誘電率ε1を有する第1の媒質と、透磁率μ、誘電率ε2を有する第2の媒質とが1つの直線を境界として接し、前記平面内に、前記平面に平行な交流磁界成分を持たない電磁波が存在する場合の時間領域差分法による二次元電磁界シミュレーション方法において、前記境界上には磁界計算のための格子点のみを設け、誘電率が一定の領域に対して適用される時間2次精度・空間4次精度又は時間4次精度・空間4次精度の差分式を、前記第1の媒質内部及び前記第2の媒質内部のみならず、前記境界の近傍においても適用して電磁界の時間変化を計算する事を特徴とする二次元電磁界シミュレーション方法。
IPC (3)：
G01R 29/08
, G06F 17/13
, G06F 17/50 666
G01R 29/08 Z
, G06F 17/13
, G06F 17/50 666 V
5B046AA08
, 5B046BA04
, 5B046JA10
, 5B056BB03
, 5B056HH00
