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J-GLOBAL ID：200903079385518049
導電性高分子パターンの作製方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小島 清路 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992069647
Publication number (International publication number)：1994236712
Application date： Feb. 19, 1992
Publication date： Aug. 23, 1994
Summary：
【要約】【目的】 任意の導電性高分子パターン(濃淡のある高分子画像を含む。)を簡便迅速に且つ精度良く作製できる方法を提供する。【構成】 本作製方法は、モノマーを酸化重合できる酸化剤(FeCl3 等)1を単独に基材3の表面に配置させ、又は該酸化剤と他のマトリックスポリマーとからなる酸化剤層2を該基材表面に形成させ、該基材表面に所望の光照射パターンとなるようにマスク4を用いて光照射を行い、該光照射された部分21の酸化重合能力を低減若しくは消滅させて所望の非光照射潜在パターン22を形成し、その後、少なくとも該非光照射潜在パターン部上に上記モノマーを気相重合させて所望の導電性高分子パターン層5を形成する。また、濃淡のある遮蔽マスク(ポジ等)を用いて、同様に酸化重合能力に応じて上記ピロール類を気相重合させて、濃淡のある所望の導電性高分子画像を形成することができる。
Claim (excerpt)：
モノマーを酸化重合できる酸化剤を単独に基材表面に配置させ、又は該酸化剤と他のマトリックスポリマーとからなる酸化剤層を該基材表面に形成させ、該基材表面に所望の光照射パターンとなるように光照射を行い、該光照射された部分の酸化重合能力を低減若しくは消滅させて所望の重合可能な潜在パターンを形成し、その後、該重合可能な潜在パターン部上に上記モノマーを気相重合させて所望の導電性高分子パターン層を形成することを特徴とする導電性高分子パターンの作製方法。
IPC (4)：
H01B 13/00 503
, H05K 3/10
, C08G 61/12 NLJ
, H01B 5/14
