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J-GLOBAL ID：200903079386813141

半導体製造装置用炭素部材

Inventor： 辰己 良昭 ,  宮田 征一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社創造科学 ,  有限会社宮田技研
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994330864
Publication number (International publication number)：1996153770
Application date： Nov. 28, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体製造装置に使用される炭素材料の新しい構造に関わる。【構成】 表面に溶融Siを含浸させてなることを特徴とする

Claim (excerpt)：

表面に溶融Siを含浸させ、該含浸層の上にSi膜を形成してなることを特徴とする半導体製造装置用炭素部材。

IPC (6)：

H01L 21/68 ,  C01B 31/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/302 B