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J-GLOBAL ID：200903079392251937

バルク単結晶の成長方法

Inventor： 土井 秀之
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994050521
Publication number (International publication number)：1995257993
Application date： Mar. 22, 1994
Publication date： Oct. 09, 1995
Summary：

【要約】【目的】 縦型成長装置を用い、昇華法、ハロゲン輸送法等の化学輸送法で種結晶上に、形状の整ったバルク単結晶を気相成長する方法を提供しようとするものである。【構成】 結晶原料を必要に応じて昇華性のハロゲンとともに縦型成長容器の上方の高温領域に配置して昇華させ、下方の低温領域に配置した種結晶上に単結晶を成長させる方法において、種結晶の周辺部をカバーで被覆して成長することを特徴とするバルク単結晶の成長方法である。

Claim (excerpt)：

結晶原料を縦型成長容器の上方の高温領域に配置して昇華させ、下方の低温領域に配置した種結晶上に単結晶を成長させる方法において、種結晶表面の周辺部をカバーで被覆して成長させることを特徴とするバルク単結晶の成長方法。