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J-GLOBAL ID：200903079400143499

光電変換素子

Inventor： 竹田 喜彦 ,  南森 孝幸 ,  町田 智弘 ,  田中 聡
Applicant, Patent owner： シヤープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991203158
Publication number (International publication number)：1993048123
Application date： Aug. 14, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、光電変換素子において、電流特性を向上させることを可能とした構造を有する光電変換素子の提供を目的とする。【構成】 第1導電型の半導体基板の裏面側表面に、所定の間隔をもって第2導電型の不純物拡散領域が形成されている。この不純物拡散領域により、裏面近傍で生成されるキャリアを収集することができる。

Claim (excerpt)：

第1導電型の半導体基板と、この第1導電型の半導体基板の表側表面全面に形成された第2導電型の受光面不純物拡散領域と、この受光面不純物拡散領域の表面に配置された受光面集電極と、前記第1導電型の半導体基板の裏側表面から所定の深さにかけて、所定の間隔を持って平行に埋込み形成された、複数の第2導電型の裏面不純物拡散領域と、この裏面不純物拡散領域の各々の表面に配置された裏面集電極と、前記裏面不純物拡散領域間に挟まれた、前記半導体基板の裏側表面に配置された裏面電極と、を備えた光電変換素子。