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J-GLOBAL ID：200903079406629598

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
野村 和仁

About 野村 和仁


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (1)： 伊藤 洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000088579
Publication number (International publication number)：2001274177
Application date： Mar. 24, 2000
Publication date： Oct. 05, 2001
Summary：
【要約】【課題】 一対のリード部材により半導体素子の両面を半田部材を介して挟んでなる半導体装置において、両リード部材の平行度を適切に確保できるようにする。【解決手段】 第1のリード部材3の上に、第1の半田部材4を介して半導体素子1、2を接合する工程と、半導体素子1、2の上に、ヒートシンク5を搭載し、その上に第1の半田部材4よりも融点の低い第2の半田部材6を介して、第2のリード部材7を接合する。しかる後、第2の半田部材6のみをリフローさせつつ、第2のリード部材7の上方から重り101にて加圧することにより、第2の半田部材6を適宜変形させ、両リード部材3、7間の平行度を調整する。
Claim (excerpt)：
第1の導体部材(3)の上に、第1の半田部材(4)を介して半導体素子(1、2)を接合する工程と、前記半導体素子の上に、前記第1の半田部材よりも融点の低い第2の半田部材(6)を介して第2の導体部材(7)を接合する工程と、しかる後、前記第2の半田部材のみをリフローさせた状態で、前記第2の導体部材の上方から加圧することにより、前記第1の導体部材と前記第2の導体部材との平行度を調整する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/52 ,  H01L 23/29 ,  H01L 25/16
FI (3)：
H01L 21/52 C ,  H01L 25/16 B ,  H01L 23/36 A
F-Term (10)：
5F036AA01 ,  5F036BA04 ,  5F036BA26 ,  5F036BB01 ,  5F036BC06 ,  5F036BC31 ,  5F036BE01 ,  5F047AA11 ,  5F047BA05 ,  5F047BA06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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