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J-GLOBAL ID：200903079423445832
化合物半導体素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001326805
Publication number (International publication number)：2003133332
Application date： Oct. 24, 2001
Publication date： May. 09, 2003
Summary：
【要約】【課題】 GaN系の化合物半導体素子において、チャネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加でき、大出力化を可能とする素子構造を提供する。【解決手段】 HEMT1は、Gaを必須とするIII族元素窒化物からなるチャネル層119と、該チャネル層119の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれチャネル層119よりも伝導体底エネルギーが高く、かつGaを必須とするIII族元素窒化物により構成され、n型にドープされた1対の電子供給層110を有することを特徴とする。該構造によると、チャネル層119の層厚方向両側に電子供給層110を配置することで、チャネル層119の両面に2DEG層を形成できる。その結果、チャネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加できるので、片面のみに2DEG層を形成する構成と比較して、素子の大出力化を図ることが可能となる。
Claim (excerpt)：
Gaを必須とするIII族元素窒化物からなるチャネル層と、該チャネル層の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれ前記チャネル層よりも伝導体底エネルギーが高く、かつGaを必須とするIII族元素窒化物により構成され、n型にドープされた1対の電子供給層とを有することを特徴とする化合物半導体素子。
IPC (3)：
H01L 21/338
, H01L 29/778
, H01L 29/812
5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ10
, 5F102GK04
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM08
, 5F102GN04
, 5F102GQ03
, 5F102GR04
, 5F102GS01
, 5F102GT01
, 5F102HC01
