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J-GLOBAL ID：200903079425857860
半導体容量式加速度センサ
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992316790
Publication number (International publication number)：1994160425
Application date： Nov. 26, 1992
Publication date： Jun. 07, 1994
Summary：
【要約】【構成】P型または、N型シリコン基板の上下面にそれぞれ数μmのN型または、P型領域をエピタキシャル成長または、ウエハの張り合わせにより形成し、PNジャンクションでエッチストップする。【効果】本発明によれば、電極間ギャップの高精度化に効果が有り、しかもPNジャンクションで自動的にエッチングがストップするため作業性の向上にも効果がある。
Claim (excerpt)：
シリコン基板をエッチングにより、カンチレバーとその先端に可動電極を形成し、可動電極に相対して2組のシリコン基板にそれぞれパイレックスガラス等をスパッタ等により形成後、その上面にアルミニュウム(Al)等の固定電極を設けた構造体において、前記3層構造である可動電極と固定電極の空隙(容量)の変化のための空隙の寸法が所定の値に拘束又は制御され、その変位から出力信号を取り出すものにおいて、前記カンチレバーを形成したシリコン基板に可動電極と固定電極間の空隙を精度よく形成するためのエピ層を設けたことを特徴とした半導体容量式加速度センサ。
IPC (2)：
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