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J-GLOBAL ID：200903079430680952

層状超格子材料の製造および層状超格子材料を含む電子デバイスを作製するための低温プロセス

Inventor： 林 慎一郎 ,  パズ デ アラウジョ, カルロス エイ.
Applicant, Patent owner： シメトリックス・コーポレーション ,  松下電器産業株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000561653
Publication number (International publication number)：2002521820
Application date： Jul. 07, 1999
Publication date： Jul. 16, 2002
Summary：

【要約】タリウムを含む液体前駆体は、強誘電性層状超格子材料(30、60)を得るために、第1の電極(28、58)に適用され、725°Cよりも低い温度でRTP焼成され、そして同じ温度で、1〜5時間アニーリングされる。第2の電極(32、77)は、キャパシタ(16、72)を形成するために形成され、そして第2のアニーリングが、725°Cよりも低い温度で実施される。材料がタンタル酸ストロンチウムビスマスタリウムである場合、前駆体は、2.2-xモル当量のビスマス、xモル当量のタリウム、およびmモル当量のタンタルの各々に対し、m-1モル当量のストロンチウムを含み、ここでm=2および0.0<x≦2.2である。

Claim (excerpt)：

集積回路中の強誘電性デバイス(10)を製造する方法であって、該方法は、以下の工程:基板(18)を提供する工程;前駆体の乾燥および加熱の際に強誘電性層状超格子材料(30)を自発的に形成するための有効量の金属部分を含む該前駆体を提供し、該前駆体を該基板(18)に塗布する工程;乾燥した材料を該基板(18)上に形成するために該前駆体を乾燥する工程;そして該基板(18)上に該金属部分を含む層状超格子材料(30)を得るために、600°Cと725°Cとの間の温度において該乾燥した材料を加熱する工程を含み、該方法は、該前駆体が一般式: A<SB>m-1</SB>(S1<SB>y-x</SB>S2<SB>x</SB>)B<SB>m</SB>O<SB>3m+3</SB>に対応する量の金属部分を含み、ここで、S1はビスマスを表し、S2はタリウムを表し、AはA部位金属としての使用に適切な金属であり、BはB部位金属としての使用に適切な金属であり、mは式の全電荷を釣り合わせるのに十分な数であり、2≦y≦2.4および0<x≦yで特徴付けられる、方法。

IPC (2)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/105

FI (4)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 444 C

F-Term (7)：

5F058BA11 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F083FR02 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR33