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J-GLOBAL ID：200903079450644227

磁気抵抗効果素子

Inventor： 岩崎 仁志 ,  大沢 裕一 ,  近藤 玲子 ,  橋本 進 ,  澤邊 厚仁 ,  上口 裕三 ,  佐橋 政司
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996331922
Publication number (International publication number)：1997186374
Application date： Nov. 01, 1993
Publication date： Jul. 15, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、軟磁気特性が良好で抵抗変化率△R/Rが充分なスピンバルブ構造の膜または人工格子膜を有し、高感度の磁気ヘッドに適用が可能である磁気抵抗効果素子を提供することを目的とする。【解決手段】基板上に、少なくとも強磁性膜、非磁性膜、および強磁性膜が順次積層されてなる積層膜を具備した磁気抵抗効果素子であって、2つの前記強磁性膜はそれぞれ信号磁界が印加されてもその磁化方向が実質的に保持される磁化固着膜、および信号磁界により磁化が変化して信号磁界を検出する磁界検出膜であり、信号磁界零の場合における2つの前記強磁性膜の磁化方向が互いに略直交しており、かつ、信号磁界方向にセンス電流を通電することを特徴としている。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくとも強磁性膜、非磁性膜、および強磁性膜が順次積層されてなる積層膜を具備した磁気抵抗効果素子であって、2つの前記強磁性膜はそれぞれ信号磁界が印加されてもその磁化方向が実質的に保持される磁化固着膜、および信号磁界により磁化が変化して信号磁界を検出する磁界検出膜となり、信号磁界零の場合における2つの前記強磁性膜の磁化方向が互いに略直交しており、かつ、信号磁界方向にセンス電流を通電することを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

FI (3)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• スピン・バルブ効果による磁気抵抗センサおよびその利用システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-006095   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション