Pat

J-GLOBAL ID：200903079456153799

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 有馬 純一 ,  中島 盛義
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992228471
Publication number (International publication number)：1994077497
Application date： Aug. 27, 1992
Publication date： Mar. 18, 1994
Summary：

【要約】【目的】 層間絶縁膜9を平坦化する際にゲート電極への酸化剤の進入を防止し、ゲートバーズビークを極力小さくすることを目的とする。【構成】 半導体装置の製造方法は、ゲート電極形成後にランプアニール法により窒化膜15でゲート電極を覆う様に形成する。【効果】 EEPROM消去時のファウラー・ノルドハイム・トンネル電流が容易に流れ、効率の良い消去特性が得られる。

Claim (excerpt)：

ソースとドレインの不純物拡散層を有する半導体装置において、ゲート電極全体にランプアニール法により形成し、半導体基板及びゲート電極に酸化剤の侵入を防止する窒化膜を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434