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J-GLOBAL ID：200903079461611290
プラズマCVD方法及び装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
谷川 昌夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993223464
Publication number (International publication number)：1995076780
Application date： Sep. 08, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 プラズマCVDにおいて成膜用原料ガスとして複数のガスを用いる場合、成膜効率を向上させることができ、また、印加電圧を増加することにより電圧増加量に応じて成膜速度を速めることができ、所定の膜組成を変えることなく高速成膜を行えるプラズマCVD方法及び装置を提供する。【構成】 真空容器内に成膜用ガスを導入し、このガスを所定真空状態下で高周波電圧印加によりプラズマ化させ、このプラズマの下で成膜対象基体表面に目的とする膜を形成するプラズマCVDにおいて、成膜用ガスとして複数のガスを導入し、異なる大きさの振幅を持つ高周波電圧を順次印加し、この電圧印加を繰り返す。
Claim (excerpt)：
真空容器内に成膜用ガスを導入し、該ガスを所定真空状態下で高周波電圧印加によりプラズマ化させ、該プラズマの下で成膜対象基体表面に目的とする膜を形成するプラズマCVD方法において、成膜用ガスとして複数のガスを導入し、異なる大きさの振幅を持つ高周波電圧を順次印加し、該電圧印加を繰り返すことを特徴とするプラズマCVD方法。
IPC (3)：
C23C 16/50
, H01L 21/205
, H01L 21/31
