半導体レーザ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：大岩増雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995295550
Publication number (International publication number)：1997139542
Application date： Nov. 14, 1995
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】【課題】アレイ型半導体レーザ装置の各アレイ部の発振波長が同期せずに、全体として拡がってしまい、固体レーザの吸収波長域に合わなくなる。【解決手段】 n-GaAs基板1とp-GaAsキャップ層3との間に形成されたアレイ状活性領域2からレーザ光が出射されるように設けられた前端面4a及び後端面4bを有する半導体レーザと、この半導体レーザのアレイ状活性領域2の一つから出射されたレーザ光の一部が他の活性領域に入射されるような距離をおいて、半導体レーザの後端面4bの後方に配置された反射ミラー5を備えたものである。

Claim (excerpt)：

第一導電型のGaAs基板と、第二導電型のGaAsキャップ層と、上記第一導電型のGaAs基板と第二導電型のGaAsキャップ層との間にアレイ状に形成された複数の活性領域と、この複数の活性領域からレーザ光が出射されるように設けられた前端面及び後端面を有する半導体レーザ、この半導体レーザの複数の活性領域の一つから出射されたレーザ光の一部が他の活性領域に入射されるように、上記後端面の後方に配置された反射ミラーを備えたことを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (43)

特開平4-209585
特開平4-209585
特開平2-032581

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