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J-GLOBAL ID：200903079465492814

MIS型半導体装置

Inventor： 宮本 正文 ,  石井 達也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993307727
Publication number (International publication number)：1995161987
Application date： Dec. 08, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 飽和領域でのドレイン電圧によるドレイン電流の変化が小さく(すなわち、出力抵抗が大きく)、しきい値のチャネル長依存性と表面のパンチスルーとを抑えて、アナログ回路に適した埋込チャネル型MIS型半導体装置を提供すること。【構成】 MOSトランジスタのp型埋込型チャネル領域5とp型ドレイン領域4との間にn型不純物領域6を形成する。【効果】 ドレイン領域4側の埋込チャネル領域5の端に設けたn型不純物領域6によるpn接合により、ドレイン電圧によるポテンシャルの変化が吸収され、チャネル内部にはポテンシャルの変化は少ない。

Claim (excerpt)：

埋込チャネル型のMIS型半導体装置において、上記埋込チャネル領域とドレイン領域との間に上記埋込チャネル領域および上記ドレイン領域と反対導電型のドレイン側反対導電型領域を具備したことを特徴とするMIS型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092

FI (2)：

H01L 29/78 301 H ,  H01L 27/08 321 C