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J-GLOBAL ID：200903079469289819

圧電体セラミックス薄膜デバイス

Inventor： 青山 拓 ,  宮下 悟 ,  久野 忠昭
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997017206
Publication number (International publication number)：1998215008
Application date： Jan. 30, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 従来、薄膜セラミックス自身の構造、とりわけデバイス特性の優劣を決定するセラミックス材料の結晶状態や配向性の制御に言及されておらず、これによりたデバイスの特性が不安定であったことが課題であった。【解決手段】 圧電性を有するセラミックス薄膜とそれを挟持する互いに平行な一対の電極板等から成る圧電体セラミックス薄膜デバイスにおいて、該圧電体セラミックスを構成する結晶の内、その50%以上について、自発分極方向と電極面の垂直方向(法線方向)のなす角度が20度以下とする。

Claim (excerpt)：

圧電性を有するセラミックス薄膜とそれを挟持する互いに平行な一対の電極板、及びこれらを支持する基板等から成る圧電体セラミックス薄膜デバイスにおいて、該圧電体セラミックスを構成する結晶の内、その50%以上について、自発分極方向と電極面の垂直方向(法線方向)のなす角度が20度以下であることを特徴とする圧電体セラミックス薄膜デバイス。

IPC (4)：

H01L 41/09 ,  C04B 35/495 ,  C04B 35/49 ,  H01L 41/187

FI (4)：

H01L 41/08 C ,  C04B 35/00 J ,  C04B 35/49 Z ,  H01L 41/18 101 D