Pat

J-GLOBAL ID：200903079490328999

透明電極及び透明電極のパターニング方法及びそれを用いた半導体素子の製造方法

Inventor： 篠原 亘 ,  山本 恵章
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000390983
Publication number (International publication number)：2001266654
Application date： Dec. 22, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】 この発明は、ZnO膜を用いても熱損傷、絶縁不良等を発生しない透明電極のパターニング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 透光性基板1上にスパッタ法でITO膜3を形成し、このITO膜3上にZnO膜4をスパッタ法で形成した後、Nd:YAGレーザビームを照射し、照射領域のITO膜3及びZnO膜4を除去してパターニングを行う。

Claim (excerpt)：

透光性基板上に形成された透明電極膜がレーザビームを用いてパターニングされて形成される透明電極であって、前記透明電極は透光性基板側からZnO膜より融点の低い透明電極膜、ZnO膜の順序で積層して形成されていることを特徴とする透明電極。

IPC (4)：

H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/28 ,  H01L 31/04

FI (6)：

H01B 5/14 A ,  H01B 5/14 B ,  H01B 13/00 503 D ,  H01L 21/28 F ,  H01L 31/04 M ,  H01L 31/04 Z