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J-GLOBAL ID：200903079499233427

窒化物半導体発光ダイオード

Inventor： 森田 大介
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000010346
Publication number (International publication number)：2001203385
Application date： Jan. 17, 2000
Publication date： Jul. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 良好なオーミック接触が得られると共に、自己吸収を抑制して発光出力の向上が可能な発光ピーク波長が370nm以下の窒化物半導体発光ダイオードを提供することである。【解決手段】 活性層が発光ピーク波長が370nm以下の窒化物半導体層からなり、p型コンタクト層が、p電極と接する側にp型不純物を高濃度で含有するAl<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<0.05)を含んでなる第1のp型コンタクト層と、第1のp型コンタクト層の活性層側に第1のp型コンタクト層と接してp型不純物を第1のp型コンタクト層より低濃度で含有しAl組成比が第1のp型コンタクト層より高いAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b<0.1)を含んでなる第2のp型コンタクト層とから形成されてなり、さらにn電極と接するn型コンタクト層が、Al<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0<d<0.1)を含んでなる。

Claim (excerpt)：

基板上に、少なくともn型窒化物半導体層、活性層、及びp型窒化物半導体層を有する窒化物半導体素子において、前記活性層が、発光ピーク波長が370nm以下の窒化物半導体層からなり、前記p型窒化物半導体層として、p電極と接するp型コンタクト層が、p電極と接する側に、p型不純物を高濃度で含有するAl<SB>a</SB>Ga<SB>1-a</SB>N(0≦a<0.05)を含んでなる第1のp型コンタクト層と、前記第1のp型コンタクト層の活性層側に第1のp型コンタクト層と接して、p型不純物を第1のp型コンタクト層より低濃度で含有し、さらにAl組成比が第1のp型コンタクト層より高いAl<SB>b</SB>Ga<SB>1-b</SB>N(0<b<0.1)を含んでなる第2のp型コンタクト層とから形成されてなり、さらに、前記n型窒化物半導体層として、n電極と接するn型コンタクト層が、Al<SB>d</SB>Ga<SB>1-d</SB>N(0<d<0.1)を含んでなることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。

F-Term (10)：

5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA31 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87