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J-GLOBAL ID：200903079521645939

半導体装置の製造方法

Inventor： 谷口 敏雄 ,  泉 潔
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992153300
Publication number (International publication number)：1993347267
Application date： Jun. 12, 1992
Publication date： Dec. 27, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 不活性ガスのイオンを半導体ウェーハ表面に被着された絶縁膜に衝突させ、その絶縁膜の開口窓から露出したウェーハの導電領域の表層部をクリーニングする工程を含む半導体装置の製造において、ウェーハの導電領域とその領域に被着する金属膜との間の接触抵抗を小さくできる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体ウェーハ20上に被着した絶縁膜11に不活性ガスのイオンを衝突させて、その絶縁膜に開口窓11a,11bを設ける。この開口窓を通して露出したポリサイド14上に多結晶Si層21を被着した半導体ウェーハ20の導電領域を、ECRエッチングによりクリーニング処理して、そのドープ領域12及び多結晶Si層21のそれぞれの表面に形成されるSiO2系の自然酸化膜17を除去するようにした。

Claim (excerpt)：

絶縁膜(11)を被着した半導体ウェーハ(20)に不活性ガスのイオンを衝突させて、この絶縁膜(11)を開口して設けた開口窓(11a,11b) が露出する前記半導体ウェーハ(20)の導電領域をクリーニング処理する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記クリーニング処理を実施する前に前記絶縁膜(11)の開口窓(11a,11b) が露出する前記半導体ウェーハ(20)の導電領域の表層部を同一の物質で形成しておくことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-291920
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-024193   Applicant：シャープ株式会社
• 特開平4-170030