薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：米田潤三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995174168
Publication number (International publication number)：1997005790
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】基板の下面側からの背面露光を行って半導体チャネル層のパターニングを行う際に、短時間でレジスト層の十分な露光を行うことができる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】透明な基板上に不透明なゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極の形成領域を含めた前記基板全面に、透明な絶縁層を介して半導体チャネル層および不純物ドープ層を順に形成する工程、前記不純物ドープ層上の全面に、可視光に感度を有するレジスト層を形成する工程、前記基板の下面側から光を照射し、前記ゲート電極をマスクとして前記レジスト層を露光する工程、前記レジスト層を現像し、露光部を除去する工程、および、前記レジスト層の非露光部をマスクとして用い、前記半導体チャネル層および前記不純物ドープ層をエッチングし、不必要な半導体チャネル層および不純物ドープ層を除去する工程、を有し、露光を行う光として、半導体チャネル層や不純物ドープ層に吸収され易い紫外光域の光ではなく、可視光域の光を用いることができ、短時間でレジスト層の十分な露光を行うことができる。

Claim (excerpt)：

透明な基板上に不透明なゲート電極を形成する工程、前記ゲート電極の形成領域を含めた前記基板全面に、透明な絶縁層を介して半導体チャネル層および不純物ドープ層を順に形成する工程、前記不純物ドープ層上の全面に、可視光に感度を有するレジスト層を形成する工程、前記基板の下面側から光を照射し、前記ゲート電極をマスクとして前記レジスト層を露光する工程、前記レジスト層を現像し、露光部を除去する工程、および、前記レジスト層の非露光部をマスクとして用い、前記半導体チャネル層および前記不純物ドープ層をエッチングし、不必要な半導体チャネル層および不純物ドープ層を除去する工程、を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 N

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平2-250037
レジストパターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-037161 Applicant：アイバイツ株式会社

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