SiC単結晶およびその成長方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , , ,
Agent (2)：長谷川芳樹 (外3名) , 長谷川芳樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999364593
Publication number (International publication number)：2001181095
Application date： Dec. 22, 1999
Publication date： Jul. 03, 2001
Summary：

【要約】【課題】表面に露出するマイクロパイプおよび積層欠陥が低減されたSiC単結晶およびその成長方法を提供すること。【解決手段】 SiC単結晶を成長させる方法であって、{0001}面に対して角度α(20 ゚<α<60 ゚)だけずれ、且つ、その法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルと<11-20>方向とのなす角度βが15 ゚以内である面30uを露出させたSiC単結晶からなる種結晶30上に、SiC単結晶40を成長させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

SiC単結晶を成長させる方法であって、{0001}面に対して角度α(20 ゚<α<60 ゚)だけずれ、且つ、その法線ベクトルを{0001}面に投影したベクトルと<11-20>方向とのなす角度βが15 ゚以内である面を露出させたSiC単結晶からなる種結晶上に、SiC単結晶を成長させることを特徴とするSiC単結晶の成長方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 , C30B 23/00

FI (2)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00

F-Term (6)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077SA04

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

6H-SiC単結晶の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-174952 Applicant：新日本製鐵株式会社
特許第2804860号

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

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