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J-GLOBAL ID：200903079547549318

Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲット

Inventor： 高木 勝寿 ,  大西 隆 ,  岩村 栄治 ,  山本 正剛 ,  吉川 一男
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 明田 莞
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994096597
Publication number (International publication number)：1995301705
Application date： May. 10, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 Al合金薄膜およびAl合金薄膜形成用スパッタリングターゲットの提供【構成】 合金成分として周期率表IIIa(Sc,Y ,La,Pr,Nd, Sm,Gd,Tb,Dy),IVa 族(Ti,Zr,Hf),Va族(V ,Nb,Ta),VIa 族(Cr,Mo,W ),VIIa族(Mn,Tc,Re),VIII族(Fe,Co,Ni,Ru,Rh,Pd,Os,Ir,Pt)の遷移元素のうちの1種以上を、合計で 0.1〜10at%含有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金薄膜と、その薄膜形成用スパッタリングターゲット。【効果】 レーザー光反射膜としての耐食性に優れ、高い反射率を有する。

Claim (excerpt)：

合金成分として周期率表IIIa族(Sc、Y 、La、Pr、Nd、Sm、Gd、Tb、Dy)、IVa 族(Ti、Zr、Hf)、Va族(V 、Nb、Ta)、VIa 族(Cr、Mo、W )、VIIa族(Mn、Tc、Re)、VIII族(Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt)の遷移元素のうちの1種以上を、合計で 0.1〜10at%含有するAl合金よりなることを特徴とするAl合金薄膜。

IPC (4)：

G02B 5/08 ,  C22C 21/00 ,  C23C 14/14 ,  C23C 14/34