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J-GLOBAL ID：200903079549958045

化合物半導体基板

Inventor： 立川 昭義 ,  城生 愛次 ,  森谷 明弘
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 八田 幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994061360
Publication number (International publication number)：1995273024
Application date： Mar. 30, 1994
Publication date： Oct. 20, 1995
Summary：

【要約】【目的】 シリコン基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、基板全体として化合物半導体層が半絶縁性を有する化合物半導体基板を提供すること。【構成】 シリコン基板2に化合物半導体層4をエピタキシャル成長させた化合物半導体基板1において、前記シリコン基板2に比抵抗103 Ω・cm以上のシリコン基板2を用い、前記シリコン基板2上に、1018cm-3以上のP型の不純物を導入した化合物半導体によるバッファ層3を形成し、該バッファ層3上に、さらに化合物半導体層4をエピタキシャル成長させたことを特徴とする化合物半導体基板。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に化合物半導体層をエピタキシャル成長させた化合物半導体基板において、前記シリコン基板に比抵抗103 Ω・cm以上のシリコン基板を用い、前記シリコン基板上に、濃度1018〜1020cm-3のP型の不純物を導入した化合物半導体によるバッファ層と、該バッファ層上に、エピタキシャル成長させた化合物半導体層を有することを特徴とする化合物半導体基板。