薄膜の微細加工方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998062524
Publication number (International publication number)：1999260799
Application date： Mar. 13, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】半導体装置のゲート電極加工においてウエハの大口径化やパターンの疎密によって生じるエッチング均一性の低下を防止する。【解決手段】0.1Pa以下の低ガス圧力条件でゲート電極のエッチングを行う。ポリシリコンの終点時に起こる酸化膜の損傷を防止するため、光干渉式リアルタイム膜厚モニタでポリシリコン残膜を検知し、終点直前に高選択エッチング条件に切り換える。【効果】直径300mmの大口径ウエハでも高精度で加工できる。

Claim (excerpt)：

光学的に透明な薄膜を有する試料を圧力0.1Pa以下のプラズマを用いてエッチングする工程において、前記試料の透明薄膜が所定膜厚まで減少したことをリアルタイム膜厚モニタで検知し、当該検知に応答してエッチング条件を変更することを特徴とする薄膜の微細加工方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2)：

H01L 21/302 E , C23F 4/00 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-239858 Applicant：三菱電機株式会社
デバイス製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-293171 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
特開昭62-097332

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