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J-GLOBAL ID：200903079558489147

半導体容器形成方法と半導体基板積載圧電体振動子

Inventor： 三浦 禎次 ,  前田 佳男 ,  生坂 芳則
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993094534
Publication number (International publication number)：1994310615
Application date： Apr. 21, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 低温で作製する半導体容器の形成方法と、発振周波数の安定した小型水晶振動子を得る。【構成】 比抵抗値が100Ω・cm以上の高比抵抗半導体基板11と誘電体基板12との接合により半導体容器を形成する。また、比抵抗値が100Ω・cm以上の前記高比抵抗半導体基板上に電極配線を形成し、水晶振動子を実装する。【効果】 半導体基板と誘電体基板との接合より堅牢で強固な容器を得ることができる。また、絶縁基板の替わりに半導体基板を使用して良好な発振特性を得るとともに、回路基板実装時の変動浮遊容量による周波数シフトを低減することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板と誘電体基板とからなり、前記半導体基板と前記誘電体基板との少なくとも一方に凹部を形成し、前記半導体基板と前記誘電体基板とを接合したことを特徴とする半導体容器形成方法。

IPC (2)：

H01L 23/06 ,  H03H 9/02