III族窒化物膜の製造方法及びIII族窒化物半導体素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：松下亮
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007208294
Publication number (International publication number)：2008135700
Application date： Aug. 09, 2007
Publication date： Jun. 12, 2008
Summary：

【課題】III族窒化物膜にイオン注入後の活性化率の向上を、結晶品質の劣化防止しつつ短時間で実現することのできるIII族窒化物膜の製造方法を提供すること。【解決手段】III族窒化物膜にイオン注入する工程と、イオン注入後のIII族窒化物膜21を1100°C以上1350°C以下の温度下で、温度に応じて10秒以上30分以下の期間高温アニール処理(図4(b))を行うことにより窒化物膜を活性化する工程によりIII族窒化物膜を短期間で効率的に活性化させることができる。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

III族窒化物膜にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のIII族窒化物膜を1100°C以上1350°C以下の温度下で、温度に応じて10秒以上90分以下の期間高温アニール処理を行うことにより窒化物膜を活性化する活性化工程と、を備えるIII族窒化物膜の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/265 , H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L21/265 601A , H01L29/78 301B , H01L29/78 618B , H01L29/78 616L

F-Term (55)：

5F110AA03 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110GG04 , 5F110GG24 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK21 , 5F110QQ14 , 5F140AA10 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BB15 , 5F140BC12 , 5F140BD05 , 5F140BD11 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ18 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CE02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

III族窒化物膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-152742 Applicant：株式会社豊田中央研究所
注入領域および保護層を含む半導体デバイスおよびそれを形成する方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-335975 Applicant：クリーインコーポレイテッド
p型及びn型電気伝導性の半導体窒素化合物A▲下3▼B▲下5▼の製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平11-502188 Applicant：ツェントルムバダニヴィソコチシニエニオヴィフポルスキエイアカデミイナウク

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