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J-GLOBAL ID：200903079581385383
LSIのオーミックコンタクト部形成方法およびLSI
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992359885
Publication number (International publication number)：1994204169
Application date： Dec. 28, 1992
Publication date： Jul. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】 均一なチタンシリサイド層と厚い窒化チタン層が得られるオーミックコンタクト部形成方法および新規な拡散防止層構造を有するLSIを提供する。【構成】 本発明の方法はチタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いてスパッタリングを行い、チタンに対する窒素の原子量比が1未満の組成を有する薄膜をシリコン上に成膜し、次いで加熱処理を行ってチタンシリサイド層を形成するとともに、薄膜表層側に窒化チタン化合物層を形成することを特徴とするLSIのオーミックコンタクト部形成方法である。また本発明のLSIは窒化チタン層とチタンシリサイド層を合わせた層厚が1500オングストローム以下であって、窒化チタン層とチタンシリサイド層の層厚比が0.7以上である拡散防止層をオーミックコンタクト部に有することを特徴とするLSIである。
Claim (excerpt)：
実質的にチタンと窒素からなり、チタンに対する窒素の原子量比が1未満のターゲットを用いてスパッタリングを行い、チタンに対する窒素の原子量比が1未満の組成を有する薄膜をシリコン上に成膜し、次いで加熱処理を行って前記薄膜とシリコンとを反応させ、前記薄膜のシリコン側にチタンシリサイドを形成することを特徴とするLSIのオーミックコンタクト部形成方法。
IPC (4)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/285
, H01L 21/90
