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J-GLOBAL ID：200903079591521480

高周波プラズマ処理装置

Inventor： 藤村 修三 ,  中野 賀正 ,  竹内 達也 ,  宮永 毅 ,  的場 唯次
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  神港精機株式会社
Agent (1)： 福島 康文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991226043
Publication number (International publication number)：1993226293
Application date： Sep. 05, 1991
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】平行平板型の高周波プラズマ処理装置に関し、平行平板の間隔を十分大きくでき、しかも均一かつ効率的に処理でき、汚染物質の発生を防止可能とすることを目的とする。【構成】RF電極(高周波印加電極)1と対向電極2が平行平板をなすように対向し、該RF電極1の周りを、絶縁物9を介して接地カバー10で取り囲んでなる平行平板型の高周波プラズマ処理装置において、該接地カバー10に、該RF電極1の平行平板をなす面12よりも対向電極2側に出っ張っている延長部10aを設けた構成とする。

Claim (excerpt)：

RF電極(高周波印加電極)(1) と対向電極(2) が平行平板をなすように対向し、該RF電極(1) の周りを、絶縁物(9) を介して接地カバー(10)で取り囲んでなる平行平板型の高周波プラズマ処理装置において、該接地カバー(10)に、該RF電極(1) の平行平板をなす面(12)よりも対向電極(2) 側に出っ張っている延長部(10a) を設けたことを特徴とする高周波プラズマ処理装置。