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J-GLOBAL ID：200903079597524839

イオン注入法

Inventor： 高橋 太 ,  富田 充裕
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 三好 秀和 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993226190
Publication number (International publication number)：1995086197
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】 イオン注入の際の不要な元素の混入を防ぎ、かつ注入領域での注入の均一化を計り、さらに注入時間を短縮することを目的とする。【構成】 本発明のイオン注入法は、イオン源からイオンを発生し、このイオンをビーム化して被処理体に照射し、被処理体に所定の元素を注入する際に、当該イオン源を被処理体を構成する材料に含まれる成分元素と注入する所定の元素とを構成元素とする。

Claim (excerpt)：

イオン源からイオンを発生し、このイオンをビーム化して被処理体に照射し、被処理体に所定の元素を注入するイオン注入法において、前記イオン源は前記被処理体を構成する材料に含まれる成分元素と前記所定の元素とを構成元素とすることを特徴とするイオン注入法。

IPC (3)：

H01L 21/265 ,  H01J 37/08 ,  H01J 37/317

FI (3)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 21/265 A