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J-GLOBAL ID：200903079601726867

マグネトロンプラズマエッチング方法及び装置

Inventor： 石田 丈繁 ,  小松 英雄 ,  阿部 雅敏 ,  奥平 定之 ,  木村 泰樹
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社 ,  沖電気工業株式会社
Agent (1)： 石戸 元
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992073407
Publication number (International publication number)：1993234954
Application date： Feb. 24, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ウェーハ面内のエッチング速度均一性を著しく向上する。【構成】 ウェーハ載置電極2のウェーハ載置面から対向電極3までの間隔9を10mm以上150mm以下の任意の距離に設定し、かつウェーハ載置面から上方に100mm以上500mm以下の任意の位置に設定し永久磁石6の位置8を設定し、両電極2,3にそれぞれ位相差を調整して同一周波数の交流電力を独立に供給する。

Claim (excerpt)：

ウェーハ(7)を載置したウェーハ載置電極(2)とこれに対向する対向電極(3)にそれぞれ同一周波数の交流電力を供給し、同時に相対峙してN極とS極とを有する永久磁石(6)で形成される磁界を両電極(2,3)間に供給すると共にエッチングガスを供給して放電せしめ、ウェーハ(7)をプラズマエッチングするマグネトロンプラズマエッチング方法において、ウェーハ載置電極(2)のウェーハ載置面から対向電極(3)までの間隔(9)を10mm以上150mm以下の任意の距離に設定し、かつウェーハ載置面から上方に100mm以上500mm以下の任意の位置に永久磁石(6)の位置(8)を設定し、両電極(2,3)にそれぞれ位相差を調整して同一周波数の交流電力を独立に供給することを特徴とするマグネトロンプラズマエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00