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J-GLOBAL ID:200903079626785353

基板処理方法及び基板処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 上柳 雅誉 ,  宮坂 一彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006327884
Publication number (International publication number):2008138273
Application date: Dec. 05, 2006
Publication date: Jun. 19, 2008
Summary:
【課題】より効率的に、希少金属を高純度で回収、再生することを可能とした基板処理方法及び基板処理装置を提供する。【解決手段】液晶パネルに対し、両基板の素子形成面に平行な方向へ相対移動させる外力を印加して、該両基板を分離させる基板分離処理工程と、分離された基板から金属を回収する金属回収処理工程と、を備え、金属回収処理工程は、透明導電性薄膜を溶解させる金属溶解溶液と、透明導電性薄膜を研磨する研磨材と、からなる混合物を両基板の素子形成面に対して吹き付ける金属薄膜除去工程S1と、研磨材によって研磨されたインジウム(透明導電性薄膜)及び溶解したインジウム(透明導電性薄膜)を含む金属溶解溶液を回収する回収物回収工程S2と、インジウムを含む金属溶解溶液からインジウムを分離する金属分離工程S3とを有する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
基板に積層されている薄膜から金属を回収する基板処理方法において、 前記基板から前記金属を回収する金属回収処理工程は、前記金属を溶解可能な溶媒と、前記薄膜を研磨する研磨材と、を含む混合物を前記基板に対して吹き付ける薄膜除去工程と、 前記研磨材によって研磨された前記薄膜と、溶媒によって溶解された前記金属とを含む回収物を回収する回収工程と、 前記回収工程において、回収された前記回収物から前記金属を分離する金属分離工程と、を有することを特徴とする基板処理方法。
IPC (6):
C22B 7/00 ,  G02F 1/13 ,  B09B 5/00 ,  B09B 3/00 ,  G02F 1/133 ,  C22B 3/04
FI (6):
C22B7/00 G ,  G02F1/13 101 ,  B09B5/00 Z ,  B09B3/00 304J ,  G02F1/1333 500 ,  C22B3/00 A
F-Term (37):
2H088FA18 ,  2H088FA23 ,  2H088FA30 ,  2H088HA01 ,  2H088HA02 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JC19 ,  2H090JC20 ,  2H090LA01 ,  4D004AA22 ,  4D004AB03 ,  4D004AC05 ,  4D004BA05 ,  4D004CA02 ,  4D004CA12 ,  4D004CA13 ,  4D004CA40 ,  4D004CA41 ,  4D004CA50 ,  4D004CC04 ,  4D004CC11 ,  4D004CC12 ,  4D004CC15 ,  4K001AA15 ,  4K001AA24 ,  4K001BA22 ,  4K001CA07 ,  4K001CA49 ,  4K001DB02 ,  4K001DB03 ,  4K001DB04 ,  4K001DB05 ,  4K001DB06 ,  4K001EA01 ,  4K001EA02 ,  4K001EA06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)

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