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J-GLOBAL ID：200903079627306890

選択型シリサイド薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 前川 真司
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000091843
Publication number (International publication number)：2000299473
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 24, 2000
Summary：

【要約】【課題】 金属誘導型結晶化膜の品質を向上しかつコストを低減する。【解決手段】 低い漏れ電流を有する薄膜トランジスタの形成において、非晶質膜を結晶化する方法であって、該方法は、a)第1の厚さを有する非晶質膜の層を堆積するステップと、b)該非晶質膜の選択領域上に、該選択領域と接触するように、第2の厚さを有する連続遷移金属膜の層を堆積するステップと、c)該連続遷移金属膜の下の該非晶質膜の該選択領域が消耗されて、遷移金属半導体化合物の連続膜を形成するように、該ステップa)において堆積された該非晶質膜および該ステップb)において堆積された該連続遷移金属膜をアニーリングするステップと、d)アニーリングを行って、該非晶質膜を少なくとも部分的に多結晶膜に変換し、それにより、該遷移金属の選択的配置が結晶化成長面を制御する、アニーリングステップと、を含む方法により上記課題が達成される。

Claim (excerpt)：

低い漏れ電流を有する薄膜トランジスタの形成において、非晶質膜を結晶化する方法であって、該方法は、a)第1の厚さを有する非晶質膜の層を堆積するステップと、b)該非晶質膜の選択領域上に、該選択領域と接触するように、第2の厚さを有する連続遷移金属膜の層を堆積するステップと、c)該連続遷移金属膜の下の該非晶質膜の該選択領域が消耗されて、遷移金属半導体化合物の連続膜を形成するように、該ステップa)において堆積された該非晶質膜および該ステップb)において堆積された該連続遷移金属膜をアニーリングするステップと、d)アニーリングを行って、該非晶質膜を少なくとも部分的に多結晶膜に変換し、それにより、該遷移金属の選択的配置が結晶化成長面を制御する、アニーリングステップと、を含む方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  G02F 1/1368

FI (4)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 S ,  G02F 1/136 500