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J-GLOBAL ID:200903079627306890

選択型シリサイド薄膜トランジスタおよびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山本 秀策
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000091843
Publication number (International publication number):2000299473
Application date: Mar. 29, 2000
Publication date: Oct. 24, 2000
Summary:
【要約】【課題】 金属誘導型結晶化膜の品質を向上しかつコストを低減する。【解決手段】 低い漏れ電流を有する薄膜トランジスタの形成において、非晶質膜を結晶化する方法であって、該方法は、a)第1の厚さを有する非晶質膜の層を堆積するステップと、b)該非晶質膜の選択領域上に、該選択領域と接触するように、第2の厚さを有する連続遷移金属膜の層を堆積するステップと、c)該連続遷移金属膜の下の該非晶質膜の該選択領域が消耗されて、遷移金属半導体化合物の連続膜を形成するように、該ステップa)において堆積された該非晶質膜および該ステップb)において堆積された該連続遷移金属膜をアニーリングするステップと、d)アニーリングを行って、該非晶質膜を少なくとも部分的に多結晶膜に変換し、それにより、該遷移金属の選択的配置が結晶化成長面を制御する、アニーリングステップと、を含む方法により上記課題が達成される。
Claim (excerpt):
低い漏れ電流を有する薄膜トランジスタの形成において、非晶質膜を結晶化する方法であって、該方法は、a)第1の厚さを有する非晶質膜の層を堆積するステップと、b)該非晶質膜の選択領域上に、該選択領域と接触するように、第2の厚さを有する連続遷移金属膜の層を堆積するステップと、c)該連続遷移金属膜の下の該非晶質膜の該選択領域が消耗されて、遷移金属半導体化合物の連続膜を形成するように、該ステップa)において堆積された該非晶質膜および該ステップb)において堆積された該連続遷移金属膜をアニーリングするステップと、d)アニーリングを行って、該非晶質膜を少なくとも部分的に多結晶膜に変換し、それにより、該遷移金属の選択的配置が結晶化成長面を制御する、アニーリングステップと、を含む方法。
IPC (5):
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 ,  G02F 1/1368
FI (4):
H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 301 S ,  G02F 1/136 500

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