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J-GLOBAL ID：200903079628617130

光電変換装置

Inventor： 中邑 卓郎
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000358616
Publication number (International publication number)：2002164565
Application date： Nov. 27, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Summary：

【要約】【課題】可視領域から紫外線領域までの光を検知する感度を低下させることなく容易に製造可能な光電変換装置を提供する。【解決手段】基板10と、この基板10の光が照射される側の主面にエピタキシャル成長により形成されたエピタキシャル層12と、n型の不純物をエピタキシャル層12に拡散して平面視略直線状であって互いに間隔を空けて略平行に並べて形成された複数の拡散層11とを具備する。而して、各拡散層11の浅い領域に、エピタキシャル層12と拡散層11とのpn接合が従来例と比べて簡単に広く形成することができる。その結果、拡散層11の上記浅い領域における拡散層11とエピタキシャル層12の間で紫外線領域の短波長の光によって電流が流れ、紫外線領域に対する分光感度を従来例よりも向上させることができる。しかも、複数の拡散層11を略直線状に形成すればよいから製造も容易である。

Claim (excerpt)：

シリコンからなる基板と、この基板の光が照射される側の主面に互いに間隔を空けて基板と異なる型の不純物を拡散して形成した複数の拡散層とを具備する光電変換素子を備えたことを特徴とする光電変換装置。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/14 ,  G01T 1/20

FI (4)：

G01T 1/20 E ,  H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 Z ,  H01L 27/14 K

F-Term (28)：

2G088FF02 ,  2G088GG19 ,  2G088GG20 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  4M118AA01 ,  4M118AA10 ,  4M118AB10 ,  4M118BA06 ,  4M118CA03 ,  4M118CA17 ,  4M118CA18 ,  4M118CA19 ,  4M118CA22 ,  4M118GA10 ,  4M118GC11 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049NA01 ,  5F049NA10 ,  5F049NB05 ,  5F049PA03 ,  5F049RA02 ,  5F049SS03 ,  5F049TA13 ,  5F049WA03 ,  5F049WA05