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J-GLOBAL ID：200903079632153784
低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
和田 昭
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993287526
Publication number (International publication number)：1995118098
Application date： Oct. 21, 1993
Publication date： May. 09, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高抵抗ZnSe単結晶から10Ωcm以下の低抵抗ZnSe単結晶を得て、電流を流すことが可能な低抵抗ZnSe単結晶基板を実現し、青色レーザダイオード、青色発光ダイオードといった青色発光デバイスの作成に利用できるようにする。【構成】 固相成長により育成したZnSe単結晶3を、溶融Znと溶融Inの混合融液2中に浸漬させることにより低抵抗化を図る、低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法。
Claim (excerpt)：
固相成長により育成したZnSe単結晶を、溶融Znと溶融In,GaまたはAlの混合融液中に浸漬させることにより、抵抗率106Ωcm以上の高抵抗ZnSe単結晶から抵抗率10Ωcm以下の低抵抗ZnSe単結晶を得ることを特徴とする低抵抗ZnSe単結晶基板の製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/48
, C30B 33/10
, H01L 33/00
