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J-GLOBAL ID：200903079639390668

イオン照射装置及びイオン照射方法

Inventor： 森 治久
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992117064
Publication number (International publication number)：1993314944
Application date： May. 11, 1992
Publication date： Nov. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体ウエーハに不純物イオンをドーズするためのイオン照射装置及びイオン照射方法に関し、各パルス電圧印加実施時毎に試料に照射されるイオンの量を均一化し、ドーズ量の制御性及び再現性を改善することを目的とする。【構成】 プラズマ室が、端面全面が試料室に向って電極を介さず直接開放する第2のプラズマ室と、該ガスを導入する手段を有し該試料室に向かう直接開放端面を持たず障壁の開孔を介して第2のプラズマ室に接続された第1のプラズマ室とに分割され、導入ガスに高周波若しくはマイクロ波放電を生じさせる手段が、該第1のプラズマ室の側のみ、若しくは第1及び第2のプラズマ室の両方に設けられ、且つ真空容器内の少なくともプラズマに触れる領域若しくはプラズマに触れる領域とイオンビームに叩かれる領域が、重金属汚染を生じない物質により被覆されてなるように構成した装置及びその装置を用いた方法。

Claim (excerpt)：

真空容器中で、一端面の全面が電極を介さずに開放されたプラズマ室と、該プラズマ室に所望の不純物を含むガスを導入する手段と、該プラズマ室内で該導入ガスに高周波若しくはマイクロ波放電を生じさせる手段と、真空排気手段を有し該プラズマ室の開放端面側に接して設けられイオン照射の行われる試料室と、該試料室内の該プラズマ室の開放端面に対向する領域に該プラズマ室から離隔して設けられた試料保持手段と、該プラズマと該試料との間に該試料が負となる向きにパルス状電圧を印加する手段とを含むイオン照射装置において、前記プラズマ室が、電極を介さずに端面全面が試料室に向って直接開放する第2のプラズマ室と、該ガスを導入する手段を有し該試料室に向かう直接開放端面を持たず障壁の開孔を介して該第2のプラズマ室に接続された第1のプラズマ室とに分割され、該導入ガスに該高周波若しくはマイクロ波放電を生じさせる手段が、該第1のプラズマ室の側のみ、若しくは第1及び第2のプラズマ室の両方に設けられ、且つ該真空容器の内面の少なくともプラズマに触れる領域若しくはプラズマに触れる領域とイオンビームに叩かれる領域とが、重金属汚染を生じない物質により被覆されてなることを特徴とするイオン照射装置。

IPC (5)：

H01J 37/317 ,  C23F 4/00 ,  H01J 27/10 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/265