Pat
J-GLOBAL ID:200903079669634537

薄型電源用磁気素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 小杉 佳男 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997177159
Publication number (International publication number):1999026239
Application date: Jul. 02, 1997
Publication date: Jan. 29, 1999
Summary:
【要約】【課題】薄型電源用磁気素子は、従来、磁性層として6〜7μmの金属膜をスパッタ法でSi基板上に成膜していたため、コストが高く、Si基板が反るという問題があった。【解決手段】磁性層の組成がCuO:5〜20mol%、ZnO:5〜40mol%、Fe2 O3 :40〜50mol%、残りNiOからなり、15MHzまでの透磁率の低下が30%以下であるスピネル型フェライトから構成され、磁性層の熱膨張率が6.0〜10.0ppm/Kでかつ比抵抗が104 Ωcm以上の薄型電源磁気素子を提供する。
Claim (excerpt):
Si基板上に磁性層とコイル層を形成したインダクタ又はトランスにおいて、前記磁性層の熱膨張率が6.0〜10.0ppm/Kでかつ比抵抗が104 Ωcm以上であることを特徴とする薄型電源用磁気素子。
IPC (2):
H01F 17/00 ,  H01F 10/20
FI (2):
H01F 17/00 D ,  H01F 10/20
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
Show all

Return to Previous Page