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J-GLOBAL ID：200903079683153096

絶縁膜の形成方法および多層配線

Inventor： 川原 潤 ,  多田 宗弘 ,  林 喜宏
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 尾身 祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000042209
Publication number (International publication number)：2001230244
Application date： Feb. 21, 2000
Publication date： Aug. 24, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体基板上の低誘電率高分子膜の形成において、高耐熱性とCMP耐性を有する配線層間絶縁膜を効率良く成長させる製造方法を提供する。【解決手段】 ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン・モノマーを気化制御器6にて気化し、反応室11に導入し0.2W/cm2以下の低パワープラズマ中にて350°C以上に加熱された基板14上にプラズマ重合ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテンを成長させて高耐熱性を有するベンゾシクロブテン膜を効率よく成膜できるようにする。また、成長初期には低成長圧力として相対的に誘電率の小さいプラズマ重合ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン膜を成長させ、その後成長圧力を増加させて緻密なプラズマ重合ジビニルシロキサン・ビス・ベンゾシクロブテン膜を連続的に成長させることで膜表面の機械強度を増強してCMP耐性を確保する。

Claim (excerpt)：

気化したベンゾシクロブテン・モノマーを反応室内に導入し、プラズマ雰囲気中にて、加熱ステージ上に載置された基板上に前記ベンゾシクロブテン・モノマーを骨格に含むプラズマ重合高分子膜を成膜する工程を含む絶縁膜の形成方法において、前記加熱ステージは350°C以上に加熱されていることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (4)：

H01L 21/312 ,  B01J 19/08 ,  C08G 61/02 ,  H01L 21/768

FI (4)：

H01L 21/312 A ,  B01J 19/08 H ,  C08G 61/02 ,  H01L 21/90 S

F-Term (56)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075AA32 ,  4G075AA62 ,  4G075BA10 ,  4G075BD14 ,  4G075CA02 ,  4G075CA05 ,  4G075CA25 ,  4G075CA47 ,  4G075CA51 ,  4J032CA12 ,  4J032CA32 ,  4J032CE14 ,  4J032CE22 ,  4J032CE24 ,  4J032CG00 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP11 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ98 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033WW07 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058AA04 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF02 ,  5F058AH01 ,  5F058AH02 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BH20