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J-GLOBAL ID:200903079690356733

プラズマ処理装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 佐竹 弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993034395
Publication number (International publication number):1994226086
Application date: Jan. 28, 1993
Publication date: Aug. 16, 1994
Summary:
【要約】【目的】 チャンバー内における被処理物の存置状態が不均一であっても、被処理物全体のプラズマ処理の均一性を向上させ得るようにする。【構成】 チャンバー内にはそこをプラズマ雰囲気にする為の少なくとも二つの電極が備えられ、それらは異なる電源装置に個別に接続して相互にプラズマ発生量の制御を可能にしてある。
Claim (excerpt):
真空チャンバーには該真空チャンバー内にプラズマ雰囲気用のガスを供給するためのガス供給手段を付設し、上記真空チャンバー内には被処理物の存置用空間と、上記存置用空間をプラズマ雰囲気にする為の少なくとも二つの電極を備えさせ、上記二つの電極は、異なる電源装置に個別に接続して相互にプラズマ発生量の制御を可能にしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (5):
B01J 19/08 ,  B29C 71/00 ,  C08J 7/00 306 ,  C23G 5/00 ,  H05H 1/46
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
  • 特開昭62-130513
  • 特開昭63-262472

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