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J-GLOBAL ID：200903079690533503

発光装置

Inventor： 岡本 國美 ,  太田 裕朗
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (2)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007077035
Publication number (International publication number)：2008235802
Application date： Mar. 23, 2007
Publication date： Oct. 02, 2008
Summary：

【課題】III族窒化物半導体を用いて長波長の発光を実現できる発光装置を提供する。【解決手段】この発光装置は、窒化物半導体発光素子61と、半導体レーザ62とを備えている。窒化物半導体発光素子61は、III族窒化物半導体からなり、500nm以上の長波長の偏光光65を発生する。半導体レーザ62は、III族窒化物半導体からなり、誘導放出によって、窒化物半導体発光素子61の発光波長よりも短波長(450nm未満)のレーザ光67(誘導放出光)を発生する。レーザ光67が窒化物半導体発光素子61に入射されることにより、窒化物半導体発光素子61の発光層が、光励起され、偏光光65が生じる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

非極性面または半極性面を結晶成長の主面とし、Inを含む発光層としての量子井戸層と、この量子井戸層よりもバンドギャップの広い障壁層とを含む多重量子井戸層を有するIII族窒化物半導体積層構造を備えた窒化物半導体発光素子と、 前記量子井戸層の発光波長よりも短い波長の誘導放出光を発生し、この誘導放出光で前記窒化物半導体発光素子の量子井戸層を光励起するレーザとを含む、発光装置。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (2)：

H01L33/00 C ,  H01S5/323 610

F-Term (11)：

5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CB36 ,  5F173AH22 ,  5F173AR99