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J-GLOBAL ID:200903079729264920

成型エッジライトパネル

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 田村 公総
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995057918
Publication number (International publication number):1996254615
Application date: Feb. 22, 1995
Publication date: Oct. 01, 1996
Summary:
(57)【発明の名称】 成型エッジライトパネル【要約】[目的] エッジライトパネルを楔形状に一体成型し且つその散乱パターンによる輝度の均一性を充分に確保する。[構成] 楔形状のエッジライトパネル1の散乱パターン5を,直円錐のコーン6を配置して構成する一方,散乱特性の要因となるコーン6の深さと配置密度を,それぞれ入射端面3から非入射端面4の方向に,深さを浅く,密度を疎から密にするように散乱の度合を逆にし,この深さと密度の相関関係によって散乱特性をコントロールする。深さの変化を1000μm〜20μmとし,密度の変化をスプライン曲線をコーン6の配置基準とすることによって,楔形状に適した均一性の高い散乱パターン5とすることができる。
Claim (excerpt):
入射端面から非入射端面に向けて楔形状をなす透明基板と,該透明基板の裏面に配設した微小多数の錐孔による散乱パターンとを具備して一体成型してなり且つ該散乱パターンの散乱特性を,錐孔深さを入射端面側において最大とし非入射端面側において最小とする深さの無段階減変化と,錐孔配置密度を入射端面側において最小とし非入射端面側において最大とする配置密度の無段階増変化との相関関係によって規制してなることを特徴とする成型エッジライトパネル。
IPC (4):
G02B 6/00 301 ,  G02B 6/00 331 ,  F21V 8/00 ,  G02F 1/1335 530
FI (4):
G02B 6/00 301 ,  G02B 6/00 331 ,  F21V 8/00 D ,  G02F 1/1335 530
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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