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J-GLOBAL ID:200903079735809840
プラズマ発生方法およびその装置
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
前田 弘 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993072659
Publication number (International publication number):1994045095
Application date: Mar. 31, 1993
Publication date: Feb. 18, 1994
Summary:
【要約】【目的】 高真空の下で高密度で均一性に優れ、これにより微細加工性が向上すると共にデバイスへの損傷が少ないプラズマを発生させる。【構成】 真空状態のプラズマ発生部の側方に該プラズマ発生部を囲むように第1〜第4の側方電極5〜8が配設されている。第1の側方電極5には第1の高周波電源9Aから高周波電力が供給され、第2の側方電極6には第1の高周波電源9Aから第1の遅延回路11を介して高周波電力が供給され、第3の側方電極7には第1の高周波電源9Aから第1及び第2の遅延回路11、12を介して高周波電力が供給され、第4の側方電極8には第1の高周波電源9Aから第1〜第3の遅延回路11、12、13を介して高周波電力が供給される。これにより、第1〜第4の側方電極5〜8には周波数が同一で位相が順次異なる高周波電力がそれぞれ印加され、プラズマ発生部には、該プラズマ発生部内の電子に回転運動をさせるような回転電場が励起される。
Claim (excerpt):
真空室内のプラズマ発生部を介して対向する位置に一対の側方電極を配置し、前記一対の側方電極のうちの一方の側方電極に高周波電源から高周波電力を供給し、前記一対の側方電極のうちの他方の側方電極に、前記高周波電源から遅延回路を介して供給され前記高周波電力と周波数が同じで位相が異なる高周波電力を供給することにより、前記プラズマ発生部に該プラズマ発生部内の電子に振幅運動をさせる高周波電場を励起することを特徴とするプラズマ発生方法。
IPC (4):
H05H 1/46
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/302
Patent cited by the Patent:
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