Pat

J-GLOBAL ID：200903079740520009

強誘電体薄膜の製造方法

Inventor： 垂井 康夫 ,  五月女 栄宏 ,  森田 信一 ,  谷本 智
Applicant, Patent owner： 垂井 康夫 ,  シャープ株式会社 ,  日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993228541
Publication number (International publication number)：1995090587
Application date： Sep. 14, 1993
Publication date： Apr. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】安定した良質なPZTもしくはPLZT強誘電体膜を安定して製造する方法を提供する。【構成】O<SB>2</SB>もしくはO<SB>3</SB>雰囲気中で、PZTすなわちPb(Zr<SB>x</SB>Ti<SB>1-x</SB>)O<SB>3</SB>(0<x<1)の各構成元素を、Ti原料、Pb原料、Zr原料、Pb原料の順序のサイクルで独立して交互に供給し、酸素以外の各構成元素の原料の堆積量および堆積時間を独立に制御しながら、Ti、Pb、Zr、Pbの順序のサイクルで交互に堆積して、基板上に、分子式に示された化学量論組成にしたがったPZTを単分子層または複数分子層形成し、上記の工程を必要な膜厚が得られるまで複数回繰り返すことにより、上記分子層が積層した構造のPZT薄膜を形成する製造方法。

Claim (excerpt)：

薄膜形成法において、O<SB>2</SB>もしくはO<SB>3</SB>雰囲気中で、いわゆるPZT、すなわちPb(Zr<SB>x</SB>Ti<SB>1-x</SB>)O<SB>3</SB>(0<x<1)の各構成元素を、Ti原料、Pb原料、Zr原料、Pb原料の順序のサイクルで独立して交互に供給し、酸素以外の各構成元素の原料の堆積量および堆積時間を独立に制御しながら、Ti、Pb、Zr、Pbの順序のサイクルで交互に堆積して、基板上に、分子式に示された化学量論組成にしたがったPZTを単分子層または複数分子層形成し、上記の工程を必要な膜厚が得られるまで複数回繰り返すことにより、上記分子層が積層した構造のPZT薄膜を形成する、ことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C23C 16/06 ,  C01G 25/00 ,  C30B 29/32 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/12 418

FI (2)：

H01G 4/06 102 ,  H01G 4/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 特開平4-083410
  
• 特開平2-200782
  
• 薄膜形成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-199096   Applicant：株式会社村田製作所