Pat
J-GLOBAL ID：200903079749913658
単量体、重合体、単量体製造方法、重合体製造方法、フォトレジスト、フォトレジスト製造方法および半導体素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998367518
Publication number (International publication number)：1999286469
Application date： Dec. 24, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：
【要約】【課題】 KrF又はArFレーザにおいても耐性を有し、かつ、TMAH水溶液で現像可能であり、接着性が優れたフォトレジストを提供する。【解決手段】 下記式(I)で示される新規のバイサイクロアルケン誘導体でなることを特徴とする単量体を重合させた重合体と、これを含有するフォトレジストである。【化1】前記式中、R′及びR′′は、それぞれ水素又は炭素数1〜4個の置換、又は非置換された直鎖又は側鎖アルキルであり、mは1〜8の数で、nは1〜6の数である。
Claim (excerpt)：
下記式(I)で示される新規のバイサイクロアルケン誘導体でなることを特徴とする単量体。【化1】前記式中、R′及びR′′は、それぞれ水素又は炭素数1〜4個の置換、又は非置換された直鎖又は側鎖アルキルであり、mは1〜8の数で、nは1〜6の数である。
IPC (5)：
C07C 69/753
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/027 502
C07C 69/753 C
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, G03F 7/004 501
, G03F 7/027 502
